Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center


Биполярный транзистор - часть 2


/p>

*   Для модели Гуммеля–Пуна.

 

Примечания. 1. В круглых скобках в левой графе таблицы указаны альтернативные обозначения параметров. Параметр RB для модели Эберса–Молла имеет смысл объемного сопротивления базы, не зависящего от тока базы. Остальные параметры имеют одинаковый смысл для моделей Эберса–Молла и Гуммеля–Пуна.

2.  При реализации интегральных npn и pnp-транзисторов на одной подложке n-типа в схеме замещения pnp-транзистора (рис. 4.4, а) необходимо изменить полярность диода, включенного между коллектором и подложкой, чтобы диоды транзисторов двух типов были включены одинаково. Сделать это можно лишь при наличии модуля Device Equation (см. разд. 1.1).

Рис. 4.4. Схема замещения биполярного  npn-транзистора: а - модель ГуммеляПуна; б - передаточная модель ЭберсаМолла


 

 

Статический режим транзистора. Режим описывается следующими соотношениями (см.рис. 4.4, а):

 

Ib = Ibe1/BF + Ibe2 + Ibc1/BR + Ibc2;

Ic = Ibe1/QbIbc1/QbIbc1/BR–Ibc2;

Ibe1 =IS[exp(Vbe/(NF·Vt)) – 1];

Ibe2 =ISE[exp(Vbe/(NE·Vt)) – 1];

Ibc1 =IS[exp(Vbc/(NR·Vt)) – 1];

Ibc2 =ISC[exp(Vbc/(NC·Vt) – 1];

Qb =Q1[1 + (1 + 4Q2)

]/2;

Q1=1/(1-Vbc/VAF-Vbe/VAR),  Q2=Ibe1/IKF+Ibc1/IKR;

Is =ISS [exp(Vjs/(NS·Vt)) – 1].

 

На рис 4.4 приняты обозначения: Ib

– ток базы; Ic – ток коллектора; Ibe1 – ток коллектора в нормальном режиме; Ibc1 – ток коллектора в инверсном режиме; Ibe2, Ibc2 – составляющие тока перехода база–эмиттер, вызванные неидеальностью перехода; Is

– ток подложки; Vbe, Vbc

напряжения на переходе внутренняя база–эмиттер и внутренняя база–коллектор; Vbs – напряжение внутренняя база–подложка; Vbn – напряжение внутренняя база–подложка для режима квазинасыщения; Vbx – напряжение база–внутренний коллектор; Vce – напряжение внутренний коллектор–внутренний эмиттер; Vjs – напряжение внутренний коллектор–подложка для NPN транзистора, напряжение внутренняя подложка–коллектор для PNP транзистора или напряжение внутренняя база–подложка для LPNP транзистора.




- Начало -  - Назад -  - Вперед -