Система схемотехнического моделирования и проектирования Design Center


Биполярный транзистор


 

В программе PSpice используется схема замещения биполярного транзистора в виде адаптированной модели Гуммеля–Пуна, которая по сравнению с исходной моделью позволяет учесть эффекты, возникающие при больших смещениях на переходах [4, 25, 33, 45, 47, 53]. Эта модель автоматически упрощается до более простой модели Эберса–Молла, если опустить некоторые параметры. Эквивалентные схемы этих моделей для npn-структуры изображены на рис. 4.4. Параметры полной математической модели биполярного транзистора приведены в табл. 4.2.

 

Таблица 4.2

 

Имя параметра

Параметр

Значение по умолчанию

Единица измерения

IS

Ток насыщения при температуре 27

 С

10

А

BF

Максимальный коэффициент усиления тока в нормальном режиме в схеме с ОЭ (без учета токов утечки)

100

 

BR

Максимальный коэффициент усиления тока в инверсном режиме в схеме с ОЭ

1

 

NF

Коэффициент неидеальности в нормальном режиме

1

 

NR

Коэффициент неидеальности в инверсном режиме

1

 

ISE (C2) *

Ток насыщения утечки перехода база–эмиттер

0

А

ISC (C4) *

Ток насыщения утечки перехода база–коллектор

0

А

IKF (IK) *  

Ток начала спада зависимости BF от тока коллектора в нормальном режиме

А

IKR*

Ток начала спада зависимости BR от тока эмиттера в инверсном режиме

 

А

NE*

Коэффициент неидеальности перехода база–эмиттер

1,5

 

NC*

Коэффициент неидеальности коллекторного перехода

1,5

 

NK

Коэффициент, определяющий множитель Qb

0,5

 

ISS

Обратный ток p–n-перехода подложки 

0

A

NS

Коэффициент неидеальности перехода подложки 

1

 

VAF (VA) *

Напряжение Эрли в нормальном режиме

В

VAR (VB) *

Напряжение Эрли в инверсном режиме

В

RC

Объемное сопротивление коллектора

0

Ом

RE

Объемное сопротивление эмиттера

0

Ом

RB

Объемное сопротивление базы (максимальное) при нулевом смещении перехода база–эмиттер

0

Ом

RBM*

Минимальное сопротивление базы при больших токах

RB

Ом

IRB*

Ток базы, при котором    сопротивление базы  уменьшается на 50% полного перепада между RB и RBM

А

TF

Время переноса заряда через базу в нормальном режиме

0

с

TR

Время переноса заряда через базу в инверсном режиме

0

с

QCO

Множитель, определяющий заряд в эпитаксиальной области

0

Кл

RCO

Сопротивление эпитаксиальной области

0

 Ом

VO

Напряжение, определяющее  перегиб зависимости тока эпитаксиальной области

10

В

GAMMA

Коэффициент легирования эпитаксиальной  области

 10

-

XTF

Коэффициент, определяющий зависимость TF от смещения база–коллектор 

0

 

VTF

Напряжение, характеризующее зависимость TF от смещения база–коллектор

В

ITF

Ток, характеризующий зависимость TF от тока коллектора при больших токах 

0

А

PTF

Дополнительный фазовый сдвиг на граничной частоте транзистора 

0

град.

CJE

Емкость эмиттерного перехода при нулевом смещении

0

пФ

VJE (PE)

Контактная разность потенциалов перехода база–эмиттер

0,75

В

MJE (ME) 

Коэффициент, учитывающий плавность эмиттерного перехода

 0,33

 

CJC

Емкость коллекторного перехода при нулевом смещении

0

Ф

VJC (PC)

Контактная разность потенциалов перехода база–коллектор

0,75

В

MJC (MC)

Коэффициент, учитывающий плавность коллекторного перехода 

0,33

 

CJS (CCS)

Емкость коллектор–подложка при нулевом смещении

 0

Ф

VJS (PS)

Контактная разность потенциалов перехода коллектор–подложка

0,75

 В

MJS (MS)

Коэффициент, учитывающий плавность перехода коллектор-подложка

0

-

XCJC

Коэффициент расщепления емкости база–коллектор

1

 

FC

Коэффициент нелинейности барьерных емкостей прямосмещенных переходов

0,5

 

EG

Ширина запрещенной зоны

1,11

 эВ

XTB

Температурный коэффициент BF и BR

0

 

XTI(PT) 

Температурный коэффициент IS

3

 

TRE1

Линейный температурный коэффициент RE

0

TRE2

Квадратичный температурный коэффициент RE

0

TRB1

Линейный температурный коэффициент RB

0

TRB2

Квадратичный температурный коэффициент RB

0

TRM1

Линейный температурный коэффициент RBM

0

TRM2

Квадратичный температурный коэффициент RBM

0

 

TRC1

Линейный температурный коэффициент RC

0

TRC2

Квадратичный температурный коэффициент RC

0

KF

Коэффициент, определяющий спектральную плотность фликкер–шума

0

 

AF

Показатель степени, определяющий зависимость спектральной плотности фликкер–шума от тока через переход

 

T_MEASURED

Температура измерений

 

T_ABS

Абсолютная температура

 

T_REL_GLOBAL

Относительная температура

 

T_REL_LOCAL

Разность между температурой транзистора и модели-прототипа

 

<


- Начало -  - Назад -  - Вперед -